DDR3 RDIMM ECC REG 8Gb PC3-10600R
Предложения вторичного рынка
|
Тайвань2012
|
178-001-009 |
5.0
|
|
5.0
|
1 170 ₽ | 1 053 ₽ |
1 170 ₽
1 053 ₽
|
8
/
0
/
68
шт.
|
||
|
Китай2012
|
178-001-007 |
5.0
|
|
5.0
|
1 100 ₽ | 990 ₽ |
1 100 ₽
990 ₽
|
1 шт.
|
||
|
Корея2010
|
178-001-005 |
5.0
|
|
5.0
|
1 150 ₽ | 1 035 ₽ |
1 150 ₽
1 035 ₽
|
1
/
0
/
4
шт.
|
||
|
Китай2012
|
178-001-004 |
5.0
|
|
5.0
|
1 150 ₽ | 1 035 ₽ |
1 150 ₽
1 035 ₽
|
2 шт.
|
||
|
Китай2012
|
178-001-002 |
5.0
|
|
5.0
|
1 100 ₽ | 990 ₽ |
1 100 ₽
990 ₽
|
1
/
2
/
8
шт.
|
||
|
Китай2011
|
178-001-001 |
5.0
|
|
5.0
|
1 050 ₽ | 945 ₽ |
1 050 ₽
945 ₽
|
1
/
2
/
28
шт.
|
Загрузка...
Описание и характеристики
Производители модуля: Samsung, Micron, Hynix, Elpida, Nanya и другие
Характеристики модели
Memory Size: 8 GB
Form Factor: DIMM 240-pin
Memory Technology: DDR3 DIMM ECC REG Fully Buffered
Memory Speed: 1333 MHz
Memory Standard: DDR3-1333 / PC3-10600R
Error Checking: ECC
Signal Processing: Registered
Voltage: 1.5V
CAS Latency: CL9
Характеристики модели
Memory Size: 8 GB
Form Factor: DIMM 240-pin
Memory Technology: DDR3 DIMM ECC REG Fully Buffered
Memory Speed: 1333 MHz
Memory Standard: DDR3-1333 / PC3-10600R
Error Checking: ECC
Signal Processing: Registered
Voltage: 1.5V
CAS Latency: CL9
Похожие предложения
