Симистор NXP Semiconductors BT137-800
Предложения вторичного рынка
| Нет предложений |
Загрузка...
Описание и характеристики
Технические параметры
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В 800
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В 800
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А 8
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А 65
Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В 1.65
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А 0.025
Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному постоянному отпирающему току Uу.от.,В 1.5
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс 20
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс 50
Время включения tвкл.,мкс 2
Рабочая температура,С -40…125
Корпус to220ab
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В 800
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В 800
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А 8
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А 65
Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В 1.65
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А 0.025
Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному постоянному отпирающему току Uу.от.,В 1.5
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс 20
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс 50
Время включения tвкл.,мкс 2
Рабочая температура,С -40…125
Корпус to220ab