111-175-001 DDR3 SO-DIMM MICRON MT8KTF51264HZ-1G6N1
Склад
_Шереметьево-1
Доступно
2
шт.
В резерве
0
шт.
Цена б/у
1 200 ₽
Цена изменена
Способы доставки
после оформления заказа
Забрать со склада в
_Шереметьево-1
,
г. Лобня МО, ул. Спортивная, 1А
Забрать с мобильной точки выдачи в Москве
расписание
4GB / DDR3L SO-DIMM / 1Rx8 / PC3L-12800S / 1600 MHz / 1,35 V / CL11
Подробнее
4GB / MICRON MT8KTF51264HZ-1G6N1
Китай, 2015
Производитель модуля: MICRON
Модель модуля: MT8KTF51264HZ-1G6N1
Вид памяти: SO-DIMM DDR2L
Пропускная способность памяти: 12800 Мб/сек
Частота: 1600 MHz
Вольтаж: 1.35V
Ранк памяти: 1Rx8
Тайминги: CL11
>>>Результаты проверки:
>Инициализация модуля - ОК
>BIOS Quick Test - OK
>Загрузка ОС - ОК / Windows
>Full Test - не проверялся
>Стресс тестирование - не проверялся
Техническое состояние
Тест на включение:
Проверена. Работает. Готова к эксплуатации.
Комплектация
- Состав
- 1 × DDR3 SO-DIMM 4Gb MICRON MT8KTF51264HZ-1G6N1 / 4GB / PC3L-12800S / 1600MHz / 1Rx8 / 1.35V / CL11
Тест на включение:
Проверена. Работает. Готова к эксплуатации.
- Состав
- 1 × DDR3 SO-DIMM 4Gb MICRON MT8KTF51264HZ-1G6N1 / 4GB / PC3L-12800S / 1600MHz / 1Rx8 / 1.35V / CL11
4GB / MICRON MT8KTF51264HZ-1G6N1
Китай, 2015
Производитель модуля: MICRON
Модель модуля: MT8KTF51264HZ-1G6N1
Вид памяти: SO-DIMM DDR2L
Пропускная способность памяти: 12800 Мб/сек
Частота: 1600 MHz
Вольтаж: 1.35V
Ранк памяти: 1Rx8
Тайминги: CL11
>>>Результаты проверки:
>Инициализация модуля - ОК
>BIOS Quick Test - OK
>Загрузка ОС - ОК / Windows
>Full Test - не проверялся
>Стресс тестирование - не проверялся
Тест на включение:
Проверена. Работает. Готова к эксплуатации.
- Состав
- 1 × DDR3 SO-DIMM 4Gb MICRON MT8KTF51264HZ-1G6N1 / 4GB / PC3L-12800S / 1600MHz / 1Rx8 / 1.35V / CL11